类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 无卤素 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 产品类别 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大双电源电压 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 双电源电压 | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 场效应管技术 | 最大结点温度(Tj) | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 最大rds | 栅源电压 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG4511SK4-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | 3 | TO-252-4L | 5.3A 5A | 2 | 33.2 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 1.54W | DMG4511 | 2 | 4.1W | 5.4 ns | 1.54W | N and P-Channel, Common Drain | 35mOhm @ 8A, 10V | 3V @ 250μA | 850pF @ 25V | 18.7nC @ 10V | 2.8ns | 35V | 35.6 ns | 5A | 20V | 850pF | 逻辑电平门 | 65mOhm | 35 mΩ | 2.39mm | 6.7mm | 6.2mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFD4C86NT3G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | 8 | 11.3A 18.1A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.1W | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 5.4m Ω @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 1153pF @ 15V | 22.2nC @ 10V | 30V | 18.1A | Standard | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EM6M1T2R | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | SILICON | 100mA 200mA | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 锡铜 | 150mW | FLAT | 260 | 10 | 6M1 | 6 | Dual | 增强型MOSFET | 150mW | N and P-Channel | SWITCHING | 8 Ω @ 10mA, 4V | 13pF @ 5V | 0.9nC @ 4.5V | 30V 20V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 200mA | 0.1A | 8Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDW2503NZ | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 25 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2001 | PowerTrench® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 20V | 600mW | 5.5A | 1W | 2 N-Channel (Dual) | 20m Ω @ 5.5A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 1286pF @ 10V | 17nC @ 4.5V | 5.5A | 12V | 20V | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8J3FU6TB | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 35 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 2W | *J3 | 增强型MOSFET | 2W | 10 ns | 2 P-Channel (Dual) | 90m Ω @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 490pF @ 10V | 5.5nC @ 5V | 15ns | 30V | N-CHANNEL | 10 ns | 3.5A | -2.5V | 20V | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7K5R6-30E,115 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | YES | 8 | SILICON | 17.9 ns | 2 | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | 雪崩 额定 | 64W | 鸥翼 | not_compliant | 8 | AEC-Q101; IEC-60134 | R-PDSO-G6 | 2 | Dual | 增强型MOSFET | DRAIN | 9.2 ns | 64W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 5.6m Ω @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 1969pF @ 25V | 29.7nC @ 10V | 10ns | 12.9 ns | 40A | 20V | 30V | 0.0056Ohm | 314A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4801A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 2W | 增强型MOSFET | 2W | 2 P-Channel (Dual) | 48m Ω @ 5A, 10V | 1.3V @ 250μA | 780pF @ 15V | 9nC @ 4.5V | 30V | 5A | 12V | 5A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3033LSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | HIGH RELIABILITY | 2W | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | AEC-Q101 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 20m Ω @ 6.9A, 10V | 2.1V @ 250μA | 725pF @ 15V | 13nC @ 10V | 30V | 6.9A | 0.02Ohm | 30A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M24FRATB | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 4.5A Ta 3.5A Ta | 2 | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2017 | Automotive, AEC-Q101 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | N and P-Channel | SWITCHING | 46m Ω @ 4.5A, 10V, 63m Ω @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 550pF @ 10V 1700pF @ 10V | 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V | 45V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 4.5A | 0.064Ohm | 18A | 45V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7757TRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | 4.8A | 2 | 36 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | HEXFET® | Obsolete | 1 (Unlimited) | SMD/SMT | 150°C | -55°C | 1.2W | Dual | 1.2W | 9.5 ns | 1.2W | 2 N-Channel (Dual) | 35mOhm @ 4.8A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 1340pF @ 15V | 23nC @ 4.5V | 9.2ns | 20V | 14 ns | 4.8A | 1.2V | 12V | 20V | 20V | 1.34nF | 逻辑电平门 | 35mOhm | 35 mΩ | 1.2 V | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7K12-60EX | Nexperia USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | 8 | LFPAK56D | 40A | 23 ns | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 175°C | -55°C | 68W | 2 | Dual | 9.1 ns | 68W | 2 N-Channel (Dual) | 9.3mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 617pF @ 25V | 10.4nC @ 10V | 12.5ns | 60V | 15 ns | 40A | 20V | 60V | 617pF | Standard | 9.3mOhm | 43 mΩ | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDC6020C | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP | 6 | 2 | 26 ns | 5.9A 4.2A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1.2W | 5.9A | 1.6W | N and P-Channel | 27m Ω @ 5.9A, 4.5V | 1.5V @ 250μA | 677pF @ 10V | 8nC @ 4.5V | 8ns | 8 ns | 5.9A | 1V | 12V | 20V | 逻辑电平门 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTLUD3A50PZTBG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | 表面贴装 | 6-UDFN Exposed Pad | YES | 6 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Tin (Sn) | 500mW | 6 | Dual | 2 P-Channel (Dual) | 50m Ω @ 4A, 4.5V | 1V @ 250μA | 920pF @ 15V | 10.4nC @ 4.5V | 20V | 2.8A | 4.4A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK10A60D(STA4,X,S) | TOSHIBA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EFC6602R-A-TR | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 6-XFBGA, FCBGA | 6 | 6.2 μs | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2W | Dual | 530 ns | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 无卤素 | 55nC @ 4.5V | 2.1μs | 12V | 5.5 μs | 53A | 12V | Logic Level Gate, 2.5V Drive | 5.9mOhm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDMD8560L | ON Semiconductor | 数据表 | 20 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | 8 | 94.85095mg | 57 ns | 22A 93A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Tin (Sn) | 2.2W | 未说明 | not_compliant | 未说明 | 2 | 2.2W | 20 ns | 2 N-Channel (Half Bridge) | 3.2m Ω @ 22A, 10V | 3V @ 250μA | 11130pF @ 30V | 128nC @ 10V | 22A | 1.6V | 20V | 60V | 150°C | Standard | 800μm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8K4FU6TB | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 55 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | SMD/SMT | EAR99 | 2W | *K4 | Dual | 2W | 10 ns | 2 N-Channel (Dual) | 17m Ω @ 9A, 10V | 2.5V @ 1mA | 1190pF @ 10V | 21nC @ 5V | 15ns | 22 ns | 9A | 2.5V | 20V | 30V | 30V | 逻辑电平门 | 2.5 V | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N7002KTB-R1-00001 | PANJIT International | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-523-3 | YES | SOT-523 Flat Leads | 3 | SILICON | + 150 C | - 20 V, + 20 V | 0.000071 oz | - 55 C | 4000 | SMD/SMT | Enhancement | Panjit | Panjit | Panjit International Inc. | 800 pC | 4 Ohms | Details | 125 ns | 115 mA | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®; | 115mA (Ta) | 4.5V, 10V | 200mW (Ta) | 活跃 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | 2N7002KTB_R1_00001 | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | PAN JIT INTERNATIONAL INC | 5.55 | 0.115 A | 60 V | 20 ns | 2.5 V | 200 mW | N-Channel | -55°C ~ 150°C (TJ) | MouseReel | NFET-035TB | EAR99 | 超低电阻 | MOSFETs | Si | DUAL | FLAT | 未说明 | compliant | R-PDSO-F3 | Single | 1 Channel | 增强型MOSFET | N-Channel | SWITCHING | 3Ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250µA | 35 pF @ 25 V | 0.8 nC @ 4.5 V | 60 V | ±20V | N-CHANNEL | MOSFET | 1 N-Channel | 3 Ω | 60 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | 5 pF | MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ECH8659-TL-W | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 23 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | YES | SILICON | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2017 | e6 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 防静电 | 1.3W | 未说明 | not_compliant | 未说明 | R-XDSO-F8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 1.3W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 24m Ω @ 3.5A, 10V | 2.6V @ 1mA | 710pF @ 10V | 11.8nC @ 10V | 30V | 7A | 7A | 0.024Ohm | 40A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Logic Level Gate, 4V Drive | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4932 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 11A 8A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | SRFET™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2W | 鸥翼 | unknown | 8 | 不合格 | 增强型MOSFET | 2W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 12.5m Ω @ 11A, 10V | 2.1V @ 250μA | 1400pF @ 15V | 24nC @ 10V | 30V | 8A | 12V | 8A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J356R,LF(T | TOSHIBA | 数据表 | 1000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 1 | SOT-23 | 3 | P | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9K89-100E,115 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | YES | 8 | SILICON | 22.1 ns | 2 | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | 雪崩 额定 | 38W | 鸥翼 | not_compliant | 8 | AEC-Q101; IEC-60134 | R-PDSO-G6 | 2 | Dual | 增强型MOSFET | 38W | DRAIN | 3.6 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 85m Ω @ 5A, 10V | 2.1V @ 1mA | 1108pF @ 25V | 16.8nC @ 10V | 5.8ns | 12.1 ns | 12.5A | 10V | 100V | 50A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K12GZETB | ROHM Semiconductor | 数据表 | 3002 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | CUT TAPE | Lead free / RoHS Compliant | 5(A) | 30(V) | Military | SOP | -55C to 150C | ±20(V) | Enhancement | 2 | 无 | 表面贴装 | 卷带 | 功率MOSFET | 8 | N | 2(W) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC4050SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2016 | Automotive, AEC-Q101 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | HIGH RELIABILITY | 1.8W | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 1.8W | N and P-Channel Complementary | SWITCHING | 45m Ω @ 3A, 10V | 1.8V @ 250μA | 1790.8pF @ 20V | 37.56nC @ 10V | 40V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 5.3A | 4.2A | 0.06Ohm | 40V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMFD4901NFT1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 9 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | YES | 8 | SILICON | 2 | 10.3A 17.9A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | 1.2W | FLAT | 8 | Dual | 增强型MOSFET | 排水源头 | 1.1W 1.2W | 2 N-Channel (Dual), Schottky | SWITCHING | 6.5m Ω @ 10A, 10V | 2.2V @ 250μA | 1150pF @ 15V | 9.7nC @ 4.5V | 30V | 17.9A | 20V | 13.5A | 0.01Ohm | 60A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 |
DMG4511SK4-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTMFD4C86NT3G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EM6M1T2R
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDW2503NZ
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SP8J3FU6TB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BUK7K5R6-30E,115
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO4801A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN3033LSDQ-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SP8M24FRATB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRF7757TRPBF
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BUK7K12-60EX
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDC6020C
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTLUD3A50PZTBG
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TK10A60D(STA4,X,S)
TOSHIBA
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EFC6602R-A-TR
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDMD8560L
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
29.002025
SP8K4FU6TB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2N7002KTB-R1-00001
PANJIT International
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ECH8659-TL-W
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AO4932
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SSM3J356R,LF(T
TOSHIBA
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
0.558681
BUK9K89-100E,115
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SH8K12GZETB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMC4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTMFD4901NFT1G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
5.437301
